SemiQ ra mắt module SiC MOSFET 1200 V dòng QSiC Dual3 — mật độ công suất 240 W/in³, nhắm đến hệ thống lưu trữ năng lượng và làm mát trung tâm dữ liệu AI

Theo Charged EVs, công ty bán dẫn SemiQ vừa chính thức ra mắt dòng sản phẩm QSiC Dual3 — module bán cầu (half-bridge) sử dụng MOSFET silicon carbide (SiC) với điện áp định mức 1.200 V. Dòng sản phẩm mới này được thiết kế cho nhiều ứng dụng quan trọng, bao gồm hệ thống truyền động động cơ trong các thiết bị làm mát trung tâm dữ liệu, bộ biến đổi lưới (grid converter) trong hệ thống lưu trữ năng lượng (ESS — Energy Storage System), và truyền động công nghiệp.

Thông số kỹ thuật nổi bật

Dòng QSiC Dual3 bao gồm sáu module trong kiểu đóng gói bán cầu S4B1 với kích thước 62 mm x 152 mm. Các module cung cấp ba tùy chọn điện trở dẫn (on-resistance): 1 mΩ, 1,4 mΩ và 2 mΩ, cho phép kỹ sư linh hoạt lựa chọn phù hợp với từng ứng dụng cụ thể.

Đặc biệt, hai phiên bản trong dòng sản phẩm đạt mật độ công suất 240 W/in³ — một con số ấn tượng cho thấy khả năng xử lý công suất lớn trong kích thước nhỏ gọn. Ba phiên bản được tích hợp thêm diode Schottky song song (parallel Schottky barrier diode), giúp giảm đáng kể tổn hao chuyển mạch khi hoạt động ở nhiệt độ cao.

Toàn bộ chip MOSFET trong dòng Dual3 đều trải qua quy trình sàng lọc burn-in lớp oxit cổng ở cấp wafer với điện áp trên 1.450 V, đảm bảo độ tin cậy cao trong quá trình vận hành dài hạn. Ngoài ra, các module có điện trở nhiệt từ mối nối đến vỏ (junction-to-case) thấp, cho phép sử dụng tản nhiệt nhỏ hơn và đơn giản hóa thiết kế hệ thống tổng thể.

Thay thế IGBT truyền thống — nhắm đến hệ thống làm mát và lưu trữ năng lượng

SemiQ thiết kế dòng Dual3 như một lộ trình nâng cấp trực tiếp từ các module IGBT hiện tại, với yêu cầu thay đổi thiết kế tối thiểu. Điều này có nghĩa các nhà sản xuất thiết bị có thể chuyển đổi sang công nghệ SiC hiệu suất cao hơn mà không cần thiết kế lại toàn bộ hệ thống.

Dòng sản phẩm nhắm đến các ứng dụng làm lạnh bằng chất lỏng công suất 250 kW, phục vụ cả bộ chỉnh lưu phía trước (active front end) và truyền động máy nén. So với giải pháp IGBT silicon truyền thống, module SiC mới mang lại kích thước và trọng lượng giảm đáng kể.

Ông Timothy Han, Chủ tịch SemiQ, nhận định: "Nhu cầu ngày càng tăng về công suất và quản lý nhiệt trong các trung tâm dữ liệu AI đang đẩy các hệ thống làm mát và năng lượng truyền thống đến giới hạn." Phát biểu này phản ánh xu hướng bùng nổ đầu tư vào hạ tầng AI trên toàn cầu, kéo theo nhu cầu khổng lồ về các giải pháp quản lý năng lượng và làm mát hiệu quả.

Ý nghĩa với thị trường Việt Nam

Dù SemiQ là nhà sản xuất linh kiện bán dẫn chuyên dụng và sản phẩm QSiC Dual3 không trực tiếp là thiết bị tiêu dùng, nhưng công nghệ SiC MOSFET đóng vai trò then chốt trong chuỗi giá trị xe điện và năng lượng tái tạo tại Việt Nam.

Các module SiC hiệu suất cao như Dual3 được sử dụng trong bộ biến đổi của hệ thống lưu trữ năng lượng — thành phần không thể thiếu trong các trạm sạc xe điện tích hợp pin dự trữ. Khi mạng lưới trạm sạc tại Việt Nam tiếp tục mở rộng, với VinFast và nhiều nhà đầu tư khác đẩy mạnh xây dựng hạ tầng, công nghệ biến đổi điện năng hiệu quả hơn sẽ giúp giảm chi phí vận hành trạm sạc và nâng cao chất lượng sạc.

Ngoài ra, với làn sóng đầu tư trung tâm dữ liệu tại Việt Nam từ các tập đoàn lớn như FPT, Viettel, và các đối tác quốc tế, nhu cầu về hệ thống làm mát hiệu suất cao cho các cơ sở AI cũng sẽ gia tăng. Công nghệ SiC chính là nền tảng giúp các hệ thống này vận hành tiết kiệm năng lượng hơn. Bạn có thể theo dõi bản đồ trạm sạc cập nhật tại TramSac.me.

Tổng kết

Dòng module QSiC Dual3 của SemiQ đánh dấu một bước tiến quan trọng trong công nghệ bán dẫn công suất SiC, với mật độ công suất ấn tượng 240 W/in³ và khả năng thay thế trực tiếp module IGBT truyền thống. Trong bối cảnh ngành năng lượng sạch và xe điện phát triển mạnh mẽ, những cải tiến ở cấp linh kiện như thế này sẽ góp phần quan trọng vào việc nâng cao hiệu suất và giảm chi phí cho toàn bộ hệ sinh thái — từ trạm sạc xe điện đến hệ thống lưu trữ năng lượng quy mô lớn.

Nguồn: Charged EVs